InGaAs 雪崩光电二极管(APD)是单光子检测的专用器件,是量子通信设备中单光子检测的核心器件。该产品由我司与CETC研究所联合研制,打破以往该类器件对进口的依赖,且具有先进的设计理念与工艺水平,可满足量子信息领域对高效率低噪声单光子检测的技术需求。
正常工作时该器件的反向工作电压大于二极管反向击穿电压(即“盖革模式”),此时当单光子入射到APD管的光接收区时,APD管会产生雪崩脉冲电流。通过脉冲检测电路把脉冲电流信号转换为标准数据信号,实现对单光子探测功能。该器件的光谱响应范围是950~1650nm。
单光子检测
盖革模式工作
高响应度
高探测效率
超低噪声
尾纤封装
安装方便
量子通信
荧光检测
3D成像
激光测距
环境检测
时间相关计数等
参数描述 | 测试条件 | 规格 | 单位 | ||
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最小 | 典型 | 最大 | |||
线性模式参数(室温295K,所有电压和电流采用默认值) | |||||
响应度Re Reponsivity | λ=1.55um,VR=VBR-2V, φe=1uw,TAL=22±3℃ | 8.0 | A/W | ||
反向击穿电压VBR Reverse breakdown voltage | IR=10uA,TAL=22±3℃ | 60 | 80 | V | |
盖革模式参数 | |||||
暗计数率DCR Dark Count Rate | TAG=-50±3℃ fg=50kHz,Vg=7V,Tg=7ns,Trise/fall=2.5ns,@PDE=15%±5 | 3E-5 | count/gate | ||
单光子探测效率PDE Photon Detect Efficiency | TAG=-50±3℃ fg=50kHz,Vg=7V,Tg=7ns,Trise/fall=2.5ns,@DCR最大 | 15 | % |