盖革模式InGaAs 雪崩光电二极管

InGaAs 雪崩光电二极管(APD)是单光子检测的专用器件，是量子通信设备中单光子检测的核心器件。该产品由我司与CETC研究所联合研制，具有好的设计理念与工艺水平，可满足量子信息领域对高效率低噪声单光子检测的技术需求。

正常工作时该器件的反向工作电压大于二极管反向击穿电压(即“盖革模式”)，此时当单光子入射到APD管的光接收区时，APD管会产生雪崩脉冲电流。通过脉冲检测电路把脉冲电流信号转换为标准数据信号，实现对单光子探测功能。该器件的光谱响应范围是950～1650nm。