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盖革模式InGaAs 雪崩光电二极管

InGaAs 雪崩光电二极管(APD)是单光子检测的专用器件,是量子通信设备中单光子检测的核心器件。该产品由我司与CETC研究所联合研制,具有好的设计理念与工艺水平,可满足量子信息领域对高效率低噪声单光子检测的技术需求。

正常工作时该器件的反向工作电压大于二极管反向击穿电压(即“盖革模式”),此时当单光子入射到APD管的光接收区时,APD管会产生雪崩脉冲电流。通过脉冲检测电路把脉冲电流信号转换为标准数据信号,实现对单光子探测功能。该器件的光谱响应范围是950~1650nm。 

性能参数
线性模式参数(室温295K,所有电压和电流采用默认值)
响应度 8-11.0A/W
反向击穿电压 60-80v
盖革模式参数
光子探测效率 10%-20%

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